1. NJD1718T4G
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厂商型号

NJD1718T4G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT BIPOLAR DPAK 50V

内部编号

277-NJD1718T4G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:224261
1+¥2.0804
25+¥1.9262
100+¥1.8492
500+¥1.7722
1000+¥1.6951
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:825
1+¥3.9659
10+¥3.3231
100+¥2.024
1000+¥1.5658
2500+¥1.3334
10000+¥1.2376
25000+¥1.1761
50000+¥1.1214
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:2203
1+¥4.3845
10+¥3.7432
100+¥2.7969
500+¥2.1971
1000+¥1.6938
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NJD1718T4G产品详细规格

规格书 NJD1718T4G datasheet 规格书
NJD1718T4G
NJD1718T4G datasheet 规格书
文档 Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 70 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 1.68W
频率转换 80MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 2
最小直流电流增益 70@0.5A@2V|40@1.5A@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -65
最大功率耗散 1680
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 80(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 DPAK
最大集电极发射极电压 50
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 80MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 1A
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 DPAK-3
功率 - 最大 1.68W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 70 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
最大功率耗散 15 W
直流集电极/增益hfe最小值 70
集电极最大直流电流 - 3 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 50 V
安装风格 SMD/SMT
最低工作温度 - 65 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 2 A
系列 NJD1718
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 15 W

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